laisvųjų krūvininkų tankio kitimas paviršiniame puslaidininkio sluoksnyje: 1 – įkrautas metalinis paviršius (elektrodas), 2 – paviršinis puslaidininkio sluoksnis, 3 – puslaidininkis; a – praturtintojo sluoksnio susidarymas, b – nuskurdintojo sluoksnio susidarymas
laũko reiškinỹs, laisvųjų krūvininkų tankio pokytis paviršiniame puslaidininkio sluoksnyje dėl išorinio elektrinio lauko poveikio. Jei išorinį elektrinį lauką kuria įkrautas metalinis paviršius su paviršiniu krūviu, puslaidininkio paviršiuje sukuriamas tokio paties didumo, bet priešingo ženklo erdvinis krūvis. Kai puslaidininkio paviršiniame sluoksnyje laisvųjų krūvininkų tankis didėja, susidaro krūvininkais praturtintasis sluoksnis, kai mažėja – nuskurdintasis (kai laisvųjų krūvininkų tankis nedidelis) ir apgrąžinis (kai laisvųjų krūvininkų tankis didelis) sluoksnis. Lauko reiškiniu pagrįstas lauko tranzistoriaus veikimas. Lauko reiškinį 1947 pirmieji atrado W. B. Shockley, J. Bardeenas ir W. H. Brattainas.