Gaškà Remigijus 1958 11 10Vilnius, lietuvių fizikas. Dr. (fiziniai m.; fiz. ir mat. m. kand. 1988).
Išsilavinimas ir veikla
1981 baigė Vilniaus universitetą ir jame dirbo iki 1992. 1992–96 mokėsi aspirantūroje Wayne’o valstybiniame universitete Detroite (Mičigano valstija) ir 1996 įgijo elektros inžinerijos daktaro laipsnį. Vėliau dėstė Virdžinijos universitete Charlottesville’yje, 1996–98 dirbo puslaidininkinių prietaisų kūrimo bendrovėje APA Optics Minneapolyje (Minesotos valstija), 1999–2001 dirbo mokslinį darbą Rensselaerio politechnikos institute (Niujorko valstija). Nuo 2000 bendrovės Sensor Electronic Technology įkūrėjas, prezidentas ir vykdomasis direktorius.
Remigijus Gaška
Mokslinė veikla
Svarbiausios mokslinio darbo kryptys: puslaidininkinių darinių savybių tyrimas, naujų puslaidininkinių medžiagų ir prietaisų kūrimas. Sukūrė pirmuosius galio nitrido GaN puslaidininkių pagrindu pagamintus didelės galios lauko tranzistorius, ultravioletinę spinduliuotę skleidžiančius puslaidininkinius šviesos diodus, sukūrė pirmuosius galio nitrido (GaN) fotodetektorius, pjezoelektrinius ir piroelektrinius jutiklius. Paskelbė daugiau kaip 400 mokslinių straipsnių, padarė daugiau kaip 50 išradimų.
Knygos
Parašė (su kitais) monografiją Įvadas į kietakūnį apšvietimą (Introduction to Solid state Lighting 2002, 2005 kinų kalba).
Apdovanojimai
Lietuvos mokslo premija (2008, su kitais).